ACM 리서치, 반도체 제조용 고온 싱글 SPM 장비 출시
ACM 리서치, 반도체 제조용 고온 싱글 SPM 장비 출시
  • 김종율 기자
  • 승인 2021.10.05 09:10
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ACM 리서치(ACM Research)가 자사 최초의 300mm 싱글 웨이퍼 과산화황 혼합물 시스템(Sulfuric Peroxide Mixture system, SPM) 장비를 출시했다.

이 장비는 첨단 로직, DRAM, 3D-NAND 칩, 기타 집적 회로(IC) 제조의 습식 세정 및 식각(etching) 공정에 사용되는데, 특히 고용량 이온을 활용한 포토레지스트(PR) 제거 공정과 금속 식각 및 스트립(Strip) 공정에 적합하다.

ACM 리서치의 데이비드 왕(David Wang) CEO는 이번 장비 출시와 관련해 “이번에 개발한 싱글SPM 장비는 우리의 Ultra C Tahoe 장비를 기반으로 한다”며, “기존 Ultra C Tahoe 장비는 정상 온도에서 대부분의 SPM 공정단계를 지원하고 있는데, 이번 장비는 거기에 더해 고온 SPM의 공정능력을 추가해 습식 세정 장비 분야에 있어 다양한 포트폴리오를 구축하게 되었다”고 말했다.

설명에 따르면 현재 SPM 습식 공정은 145℃ 미만의 황산 및 과산화수소를 혼합하며 PR 제거 및 식각 후 세정 공정, 중간 용량의 이온 주입 및 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 후 세정 공정에 사용된다. 이에 2018년에 소개된 ACM의 Ultra C Tahoe는 벤치 SPM과 싱글 웨이퍼 세정을 하나의 시스템에 통합했다. 이들 공정의 처리는 업계에서 그 성능을 인정받았으며, 보다 우수한 세정 결과를 얻을 수 있음과 동시에 황산 및 폐기물 발생량을 대폭 감소시켜 관련 비용을 절감할 수 있었다.

그러나 최근 기술 노드가 10nm 이하로 확장됨에 따라 145℃이상 또는 200℃ 이상의 더 높은 온도를 사용해야 하는 SPM 공정 단계의 수가 증가하고 있다. 고용량 이온 주입 후 PR 제거, 건식 애시(dry ash) 공정을 사용하지 않는 습식 스트립 공정, 특수 금속 필름 제거 공정은 모두 보다 고온 공정을 지원하는 SPM을 필요로 한다. ACM의 새로운 싱글 SPM 장비는 고온 공정을 지원하여 사용자에게 공정 시간 단축, 유기 오염 제거, 세정 및 접착제 제거 후 필름 손실 감소 등의 추가적 이점을 제공한다.

데이비드 왕 CEO는 “ACM 리서치의 Tahoe 시스템이 대상으로 하는 황산 공정은 기존의 주류 온도이며 일반적인 싱글 웨이퍼 SPM 시스템과 비교하여 황산의 양을 크게 줄일 수 있으며 환경 친화적”이라고 설명했다.

그는 또한 “보다 발전된 기술 노드는 점점 더 고용량의 이온 주입 공정을 요구한다. 이러한 고용량 이온 주입은 포토레지스트를 경화(硬化)시키므로 이러한 결함을 피하기 위해서는 효과적인 PR제거를 위해 더 높은 온도의 SPM이 필요하다”며, “ACM의 새로운 싱글 고온 SPM 장비는 고온 공정 지원과 최적화된 공정 챔버를 결합하여 주요 공정 단계 후에 경화된 PR 및 유기 잔류 결함을 더 빠르고 효과적으로 제거할 수 있다”고 덧붙였다.

ACM 리서치의 새로운 싱글 고온 SPM 장비는 독특한 다단계 구배 가열 시스템(multilevel gradient heating system)을 사용하여 황산을 예열한 다음, 이를 과산화수소와 혼합하여 초고온을 달성한다. 동시에 이 제품의 챔버는 다양한 화학 물질의 구성을 지원하며 공정에서 화학 물질 비율과 온도를 동적으로 설정하는 데 사용할 수 있는 온라인 화학 혼합 산(CIM) 시스템을 갖추고 있다. 챔버 구성은 ACM 리서치의 특허 기술인 SAPS 및 TEBO 메가소닉 기술과 결합할 수도 있으며 더 많은 화학 물질 지원과 다양한 보조 세척 솔루션 지원이 가능하다.

ACM은 올해 이미 중국의 고객사에 이 시스템 2대를 납품했다. 한 곳은 40nm 이하의 로직 공정 연구 개발 회사이고, 다른 한 곳은 메모리 공정 연구 개발 회사이다. 그리고 최근에는 중국 고객으로부터 새로운 싱글 SPM 장비에 대한 추가 주문을 받았으며 2022년 상반기 인도할 예정이다. 이러한 장비는 ACM 리서치의 독자적인 메가소닉 세척 기능을 탑재했으며 TSV(through-silicon via) 등 3D 구조의 세정에 사용할 수 있다.


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