ACM 리서치(ACM Research, Inc.)가 실리콘카바이드(SiC) 질화갈륨(GaN) 및 갈륨비소(GaAs)를 지원할 수 있는 화합물 반도체용 웨비퍼 레벨 패키징 제품인 Ultra ECP GIII 전기도금 장비를 출시했다.
이 웨이퍼 레벨 패키징 장비는 후면 딥 홀(Backside deep hole) 공정에서 개선된 균일성과 단차피복성(Step coverage)으로 금(Au)을 도금할 수 있다. 또한 6인치 플랫 에지(flat edge) 및 노치 웨이퍼(notch wafer)의 대용량 처리를 지원하는 완전 자동화 플랫폼을 갖추고 있으며, ACM에서 보유중인 2차 양극(second anode) 공급 장치 기술과 고속 그리드 기술(Paddle technology)을 결합하여 최고의 성능을 달성한다.
ACM 리서치의 데이비드 왕(David Wang) CEO는 “최근 화합물 반도체 시장이 급성장하고 있는데 반해, 현재 화합물 반도체 제조 공정의 자동화 수준은 제한적이며 대부분의 전기도금 공정은 균일성이 불량한 수직 전기도금 장비를 사용해 생산량도 제한을 받고 있다”고 지적하면서 “이번에 새로 개발한 Ultra ECP GIII 전기도금 장비는 이러한 문제들을 극복하면서 화합물 반도체의 용량과 고급 성능에 대한 점증하는 요구 사항을 충족한다”고 설명했다.
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