ACM 리서치, Ultra ECP 3d 장비 출시
ACM 리서치, Ultra ECP 3d 장비 출시
  • 김종율 기자
  • 승인 2020.12.04 07:49
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반도체 및 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 애플리케이션용 웨이퍼 처리 솔루션 업체인 ACM 리서치(ACM Research, ACM)가 3D 실리콘 관통 전극(Through-Silicon Via, 이하 TSV) 기술을 위한 Ultra ECP 3d 플랫폼을 발표했다.

ACM의 Ultra ECP ap 및 맵 플랫폼을 활용하는 Ultra ECP 3d 플랫폼은 Void나 Seam과 같은 결함을 남기지 않는 높은 성능의 구리(Cu) 전기 도금을 제공한다.

시장 조사 기관인 모도 인텔리전스(Mordor Intelligence)에 따르면, 3D TSV 장비 시장 규모는 2019 년에 28억 달러였으며, 이후 연평균 6.2%의 성장률을 기록하며 2025년에는 40억 달러 규모로 성장이 예상된다. TSV 기술을 활용한 장비는 이미징·메모리를 비롯하여 초소형 정밀 기계 기술(MEMS) 및 광전자(Optoelectronics) 분야에 활용된다.

ACM의 데이비드 왕(David Wang) CEO는 “디바이스의 소형화, AI 및 엣지 컴퓨팅 기술의 발전으로 인해 3D TSV 시장이 성장하고 있으며, 이러한 기술들은 지속적인 칩셋 성능의 향상과 직접화를 요구하고 있기에 더 많은 산업에서 TSV기술을 채택하고 있다"고 말했다.

데이비드 왕 CEO는 또한 “고객사와의 협력을 통해 Ultra ECP 3d 플랫폼으로 고종횡비(High Aspect Ratio)의 미세 구멍(Via)를 성공적으로 채울 수 있음을 입증했다”면서 “이 장비는 또한 적층 챔버 설계로 더 높은 처리속도(Throughput)를 제공하면서 더 적은 소모품을 사용하고 총 소유 비용을 낮출 뿐만 아니라 팹 공간 활용도를 높일 수 있도록 설계되었다”고 덧붙였다.

고종횡비 TSV에 대한 상향식(Bottom-up) 충전 중에 Cu 전해질은 내부에 기포가 없는 상태로 미세 구멍을 완전히 채울 수 있어야 하는데 이러한 공정을 가속화하기 위해 사전 습식(Pre-wet) 단계가 사용된다.

이러한 기술은 제조 공정에 있어 더 나은 수율과 더 큰 도금 효율성 및 더 높은 처리속도를 구현하는 데 기여하고 있다. 3D TSV 용 Ultra ECP 3D 플랫폼은 차지하는 면적(Footprint)이 2.20m × 3.60m × 2.90m (W/L/H, 폭/길이/높이)에 불과하며, 사전 습식과 구리 도금 및 후 세정(Post-wet)기능이 통합된 10개 챔버의 300mm 장비다.


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