ACM 리서치가 Ultra C 세정 시스템 제품군에 새로 추가된 Ultra C VI 싱글 웨이퍼 장비를 공개했다.
Ultra C VI는 DRAM(Dynamic Random-Access Memory)과 3D NAND 플래시 디바이스의 높은 세정 처리량을 목표로 출시 시기를 앞당길 수 있도록 돕는다. ACM의 입증된 다중 챔버 기술을 이용해 제작된 이 새로운 장비는 18개 챔버가 특징으로, 기존의 Ultra C V 시스템의 12개 챔버와 처리량에서 50% 확장되었지만 장비가 차지하는 공간은 기존 생산 라인에 통합할 수 있도록 동일한 폭에 길이만 약간 크게 제작되었다.
Ultra C VI는 1y 노드 이상에 이르는 첨단 D램 디바이스와 128개 이상의 적층 이상의 첨단 3D 낸드 기기에서 싱글 웨이퍼 세정을 담당한다. BEOL 폴리머 제거, 텅스텐 또는 구리 루프 사후 세정, 선 증착 세정, 사후 식각, 사후 화학적 기계평면화(CMP) 세정, 심층/비아(via) 세정 그리고 RCA 표준 세정 등과 같은 응용 및 관련 화학 물질에 따라 다양한 반도체 전공정(FEOL) 및 후공정(BEOL)에 사용할 수 있다.
세정 중에는 표준 세척제(SC1, SC2), 불화수소산(HF), 오존화 탈이온수(DI-O3), 희석된 과산화황 혼합제(DSP, DSP+), 용제 세척제 또는 기타 공정 화학 물질을 포함하여 여러 화학 조합을 사용할 수 있다. 최대 두 가지 화학물질을 회수해 재사용할 수 있으므로 소모품 비용과 전반적인 유지 비용을 줄이는 데 도움이 된다.
Ultra C VI는 이중의 유체 N2 스프레이 세정 또는 ACM의 독점적인 SAPS 및 TEBO 메가소닉 세정 기술과 같은 선택적 물리적 보조 세정 방법을 수용할 수 있다. 가로 세로 비율이 높은 패턴 웨이퍼에도 적용할 수 있는 이소프로필알코올(IPA) 건조 기능도 제공한다. 더욱이 ACM의 기존 장비의 폭과 동일한 사이즈로 FAB의 활용도를 향상시키고 나아가 유지비용 절감에 도움이 된다.
