인피니언 테크놀로지스가 자사 고유의 트렌치 반도체 기술을 적용한 CoolSiC MOSFET 1700V 제품을 출시한다. 실리콘 카바이드(SiC)의 물리적 특성을 극대화시킨 새로운 1700V 표면실장 디바이스(SMD)는 매우 우수한 신뢰성과 낮은 스위칭 손실 및 전도 손실을 제공한다.
CoolSiC MOSFET 1700V 제품은 모터 드라이브, 신재생 에너지, 충전 인프라, HVDC 시스템 등 3상 변환 시스템의 보조 전원에 적합하다.
이러한 저전력 애플리케이션은 대체로 100W 아래에서 동작한다. 이러한 경우 디자이너들은 싱글 엔디드 플라이백 토폴로지를 선호한다. SMD 패키지를 채택한 새로운 CoolSiC MOSFET 1700V 제품을 사용하여, 이제 최대 1000VDC 입력 전압에 이르는 DC 링크 연결 보조 회로에도 이 토폴로지가 가능하다.
설명에 따르면 1700V 블로킹 전압은 과전압 마진이나 신뢰성과 관련된 문제들을 제거한다. 예를 들면 CoolSiC 트렌치 기술은 동급의 트랜지스터 중 디바이스 커패시턴스와 게이트 전하가 가장 낮고, 최신 1500V 실리콘 MOSFET 대비 전력 손실을 50퍼센트 이상 낮추고 2.5퍼센트 더 높은 효율을 달성한다. 1700V 실리콘 MOSFET과 비교해서는 효율이 0.6퍼센트 더 높다.
이렇게 손실이 낮아 히트싱크 없이 자연스러운 대류 냉각을 사용할 수 있어 컴팩트한 SMD 어셈블리가 가능하다.
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