KLA이 집적회로(“IC” 또는 “칩”) 제조를 위한 Archer 750 이미징 기반 오버레이 계측 시스템과 SpectraShape 11k광학 임계치수(Critical Dimension, “CD”)를 선보였다.
Archer 750은 칩의 각 레이어가 구성됨에 따라 패턴 형상이 이전 층의 형상과 제대로 정렬이 되는지 검증하며, SpectraShape 11k는 트랜지스터와 메모리 셀 등의 3D 구조를 모니터링하여 스펙이 유지되도록 한다.
이 신규 계측 시스템은 패턴 정렬 또는 형상의 섬세한 차이를 파악하여 IC 제조업체들이 5G, AI, 데이터 센터 및 엣지 컴퓨팅 등의 애플리케이션에서 사용되는 고성능 메모리 및 로직 칩을 시장에 출시함에 있어서 요구되는 복잡한 공정을 엄격하게 제어한다.
KLA의 계측 부서의 존 매드슨(Jon Madsen) Sr.VP/GM은 “첨단 칩에 새로운 구조와 신규 물질이 접목되면서 IC 업체들은 원자 단위에서 측정을 해야 하는 공정 허용 범위에 직면해 있다”라며 “KLA는 이러한 칩을 고품질 표준으로 비용 효율적으로 생산되도록 하는데 있어서 중요한 역할을 한다”고 말했다.
Archer 750 오버레이 계측 시스템은 공정 변동이 존재하는 상황에서 오버레이 오류를 정확하고 견고하게 측정함과 동시에 이전에는 산란계측(scatterometry-based) 기반의 오버레이 시스템에서만 가능했던 생산성 수준을 달성한다.
이 혁신적인 시스템은 다양한 층에서 신속하고 정확한 피드백을 제공하여 사진 식각 엔지니어들이 첨단 로직, DRAM 및 3D NAND 소자의 안정적인 생산과 빠른 수율 개선을 실현하도록 인라인에서 공정 이탈점을 파악하고 전반적인 패터닝 완성도를 향상시키는 작업을 지원한다.
SpectraShape 11k CD 및 차원 형상 계측 시스템은 감도와 생산성을 유례없는 수준으로 조합해서 이전에는 접근 불가능했던 웨이퍼 형상, 구조 및 소재를 지원한다. 첨단 로직, DRAM 및 3D NAND 소자 형상을 고정밀도와 높은 속도로 측정할 수 있는 역량을 보유한 SpectraShape 11k는공정 문제를 빠르게 파악하고 생산 가동 중 공정을 엄격히 모니터링을 가능하게 한다.
